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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R299CP-ND
Cantidad disponible 193
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW60R299CP

Descripción MOSFET N-CH 600V 11A TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW60R299CP
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 11 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 440 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 29 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1100 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW60R299CPFKSA1
IPW60R299CPX
IPW60R299CPXK
SP000103251

11:08:51 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.09000 3.09
10 2.77900 27.79
100 2.27660 227.66
500 1.93806 969.03
1,000 1.63450 1,634.50

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