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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R190C6-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW60R190C6

Descripción MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx60R190C6
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20.2 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 9.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 630 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 63 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1400 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW60R190C6FKSA1
SP000621160

02:38:29 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.08000 3.08
10 2.77000 27.70
100 2.26920 226.92
500 1.93174 965.87
1,000 1.62918 1,629.18

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