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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R125P6XKSA1-ND
Cantidad disponible 112
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW60R125P6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 600V TO247-3
Descripción ampliada N-Channel 600V 30A (Tc) 219W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ P6
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 960 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2660 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 219 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 11.6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres SP001114656

01:20:36 3/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.40000 4.40
10 3.95600 39.56
100 3.24100 324.10
500 2.75900 1,379.50
1,000 2.32686 2,326.86

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