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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R099CP-ND
Cantidad disponible 720
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW60R099CP

Descripción MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 650V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW60R099CP
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 31 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.2 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2800 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 255 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 18 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30
Otros nombres IPW60R099CPFKSA1
IPW60R099CPXK
IPW60R099CSX
SP000067147

16:07:33 1/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.67000 7.67
10 6.92600 69.26
100 5.73440 573.44
500 4.99348 2,496.74
1,000 4.34916 4,349.16

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