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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R099C6-ND
Cantidad disponible 811
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW60R099C6

Descripción MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
Descripción ampliada N-Channel 600V 37.9A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx60R099C6
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 37.9 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.21 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 119 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2660 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 278 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 18.1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW60R099C6FKSA1
SP000641908

14:17:23 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.59000 6.59
10 5.91600 59.16
100 4.84710 484.71
500 4.12626 2,063.13
1,000 3.47998 3,479.98

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