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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R075CPIN-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW60R075CP

Descripción MOSFET N-CH 650V 39A TO-247
Descripción ampliada N-Channel 650V 39A (Tc) 313W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW60R075CP
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Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 39 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.7 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 116 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4000 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 313 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 75 mOhm a 26 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW60R075CPFKSA1
IPW60R075CPIN
IPW60R075CPXK
SP000358192

02:08:23 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 12.30000 12.30
10 11.11500 111.15
100 9.20260 920.26
500 8.01348 4,006.74

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