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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPW60R041C6-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPW60R041C6

Descripción MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW60R041C6
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 77.5 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 41 mOhm a 44.4 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 2.96 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 290 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 6530 pF a 10 V
Potencia máxima 481 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IPW60R041C6FKSA1
SP000718886

19:33:40 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 11.73000 11.73
10 10.77800 107.78
100 9.10270 910.27
500 8.09752 4,048.76
1,000 7.42739 7,427.39

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