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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPU60R2K1CEBKMA1-ND
Cantidad disponible 2,031
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPU60R2K1CEBKMA1

Descripción MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos IPD60R2K1CE, IPU60R2K1CE
Diseño/especificación de PCN Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ CE
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.1 Ohm a 760 mA, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 60 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 6.7 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 140 pF a 100 V
Potencia máxima 22 W
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP001276064

13:10:54 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.48000 0.48
10 0.41400 4.14
100 0.30880 30.88
500 0.24266 121.33
1,000 0.18751 187.51

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