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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPU60R2K1CEBKMA1-ND
Cantidad disponible 1,954
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPU60R2K1CEBKMA1

Descripción MOSFET N-CH 600V TO-251-3
Descripción ampliada N-Channel 600V 2.3A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos IPD60R2K1CE, IPU60R2K1CE
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ CE
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 60 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6.7 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 140 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 22 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.1 Ohm a 760 mA, 10 V
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP001276064

14:05:37 2/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.48000 0.48
10 0.41400 4.14
100 0.30880 30.88
500 0.24266 121.33
1,000 0.18751 187.51

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