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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPU50R950CEAKMA1-ND
Cantidad disponible 1,019
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPU50R950CEAKMA1

Descripción MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPD50R950CE, IPU50R950CE
Diseño/especificación de PCN Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ CE
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.3 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 950 mOhm a 1.2 A, 13 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 10.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 231pF a 100V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP001292872

13:37:33 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.55000 0.55
10 0.47200 4.72
100 0.35250 35.25
500 0.27698 138.49
1,000 0.21403 214.03

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