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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPU50R950CEAKMA1-ND
Cantidad disponible 915
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPU50R950CEAKMA1

Descripción MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
Descripción ampliada N-Channel 500V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPD50R950CE, IPU50R950CE
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ CE
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.3 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 13 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 231pF a 100V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 53 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 950 mOhm a 1.2 A, 13 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP001292872

19:15:07 3/29/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.58000 0.58
10 0.49600 4.96
100 0.37010 37.01
500 0.29082 145.41
1,000 0.22473 224.73

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