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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPU50R1K4CEBKMA1-ND
Cantidad disponible 1,357
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPU50R1K4CEBKMA1

Descripción MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 horas)
Documentos y medios
Hojas de datos IPU50R1K4CE
Diseño/especificación de PCN Assembly/MSL Chg 2/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 500 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.1 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 900 mA, 13 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 70 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 8.2 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 178 pF a 100 V
Potencia máxima 25 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500

01:49:35 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.50000 0.50
10 0.43100 4.31
100 0.32200 32.20
500 0.25300 126.50
1,000 0.19550 195.50

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