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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPS65R1K4C6AKMA1-ND
Cantidad disponible 1,607
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPS65R1K4C6AKMA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPS65R1K4C6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 3.2 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.4 Ohm a 1 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 100 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 10.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 225 pF a 100 V
Potencia máxima -
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores de tope, IPak
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 1,500
Otros nombres SP000991120

02:54:34 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.83000 0.83
10 0.74300 7.43
100 0.57890 57.89
500 0.47824 239.12
1,000 0.37755 377.55

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