Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP90R1K2C3-ND
Cantidad disponible 1,154
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP90R1K2C3

Descripción MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP90R1K2C3
IPP90R1K2C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.1 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 2.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 310 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 28 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 710 pF a 100 V
Potencia máxima 83 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096

16:17:46 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.52000 1.52
10 1.36100 13.61
100 1.06150 106.15
500 0.87686 438.43
1,000 0.69225 692.25

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario