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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP90R1K2C3-ND
Cantidad disponible 1,144
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP90R1K2C3

Descripción MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 900V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP90R1K2C3
IPP90R1K2C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.1 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 310 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 28 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 710 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 83 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 2.8 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP90R1K2C3XKSA1
SP000411302
SP000683096

23:32:02 1/18/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.52000 1.52
10 1.36100 13.61
100 1.06150 106.15
500 0.87686 438.43
1,000 0.69225 692.25

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