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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R190E6XKSA1-ND
Cantidad disponible 405
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R190E6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP65R190E6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20.2 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 730 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 73 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1620 pF a 100 V
Potencia máxima 151 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

03:54:59 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.88000 2.88
10 2.58500 25.85
100 2.11830 211.83
500 1.80326 901.63
1,000 1.52082 1,520.82

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