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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R190E6XKSA1-ND
Cantidad disponible 397
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R190E6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
Descripción ampliada N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP65R190E6
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20.2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 730 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 73 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1620 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 151 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

14:35:51 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.02000 3.02
10 2.71500 27.15
100 2.22420 222.42
500 1.89342 946.71
1,000 1.59686 1,596.86

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