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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R190CFDXKSA1-ND
Cantidad disponible 1,096
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R190CFDXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Descripción ampliada N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R190CFD
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 730 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1850 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 151 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160

21:00:02 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.93000 2.93
10 2.63400 26.34
100 2.15830 215.83
500 1.83728 918.64
1,000 1.54952 1,549.52

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