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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R190CFDXKSA1-ND
Cantidad disponible 758
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R190CFDXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R190CFD
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17.5 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 190 mOhm a 7.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 730 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 68 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1850 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP65R190CFD
IPP65R190CFD-ND
SP000881160

04:26:58 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.93000 2.93
10 2.63400 26.34
100 2.15830 215.83
500 1.83728 918.64
1,000 1.54952 1,549.52

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