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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R125C7XKSA1-ND
Cantidad disponible 109
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R125C7XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 20 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP65R125C7
Ensamble/origen de PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ C7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 18 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 8.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 440 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 35 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1670 pF a 400 V
Potencia máxima 101 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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  • Precio unitario 3.53000
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001080132

19:33:50 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.08000 5.08
10 4.56400 45.64
100 3.73930 373.93
500 3.18322 1,591.61
1,000 2.68464 2,684.64

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