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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R074C6XKSA1-ND
Cantidad disponible 451
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R074C6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP65R074C6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 57.7 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 74 mOhm a 13.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.4mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 17 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3020 pF a 100 V
Potencia máxima 480.8 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000898650

21:50:36 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 9.25000 9.25
10 8.35800 83.58
100 6.91940 691.94
500 6.02532 3,012.66
1,000 5.24786 5,247.86

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