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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP65R045C7XKSA1-ND
Cantidad disponible 582
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP65R045C7XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP65R045C7
Ensamble/origen de PCN Wafer Process Update 28/Sep/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ C7
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 46 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 45 mOhm a 24.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 1.25 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 93 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4340 pF a 400 V
Potencia máxima 227 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000929422

11:10:29 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 14.33000 14.33
10 13.16700 131.67
100 11.12050 1,112.05
500 9.89248 4,946.24
1,000 9.07379 9,073.79

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