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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R950C6-ND
Cantidad disponible 249
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP60R950C6

Descripción MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
Descripción ampliada N-Channel 600V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx60R950C6
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Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 4.4 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 130 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 280 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 37 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 950 mOhm a 1.5 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP60R950C6XKSA1
SP000629364

07:16:08 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.13000 1.13
10 1.00600 10.06
100 0.78460 78.46
500 0.64818 324.09
1,000 0.51172 511.72

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