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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R199CPXKSA1-ND
Cantidad disponible 63
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP60R199CPXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R199CP
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Diseño/especificación de PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 9.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 660 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 43 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1520 pF a 100 V
Potencia máxima 139 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP60R199CP
IPP60R199CP-ND
IPP60R199CPAKSA1
IPP60R199CPIN
IPP60R199CPIN-ND
IPP60R199CPX
IPP60R199CPXK
SP000084278

14:18:46 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.32000 3.32
10 2.98100 29.81
100 2.44220 244.22
500 2.07898 1,039.49
1,000 1.75336 1,753.36

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