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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R125P6XKSA1-ND
Cantidad disponible 128
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP60R125P6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 600V TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPW60R125P6, IPP60R125P6, IPA60R125P6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ P6
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 30 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 125 mOhm a 11.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 960 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 56 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2660 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001114648

05:56:44 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.14000 4.14
10 3.72200 37.22
100 3.04940 304.94
500 2.59590 1,297.95
1,000 2.18932 2,189.32

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