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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R099P6XKSA1-ND
Cantidad disponible 165
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP60R099P6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 600V TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx60R099P6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ P6
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 37.9 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 14.5 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1.21 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 70 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3330 pF a 100 V
Potencia máxima 278 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001114650

13:05:13 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.05000 5.05
10 4.53200 45.32
100 3.71360 371.36
500 3.16130 1,580.65
1,000 2.66616 2,666.16

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