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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP60R099CPXKSA1-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP60R099CPXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
Descripción ampliada N-Channel 650V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP60R099CP
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 31 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.2 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 80 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2800 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 255 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 18 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP60R099CP
IPP60R099CPIN
IPP60R099CPIN-ND
IPP60R099CPXK
IPP60R099CSIN
IPP60R099CSIN-ND
IPP60R099CSX
IPP60R099CSXTIN
IPP60R099CSXTIN-ND
SP000057021

19:15:31 2/20/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.16000 7.16
10 6.47300 64.73
100 5.35870 535.87
500 4.66628 2,333.14
1,000 4.06418 4,064.18

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