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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP600N25N3 G-ND
Cantidad disponible 5,280
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP600N25N3 G

Descripción MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx600N25N3 G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 250 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 25 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 60 mOhm a 25 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 90 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 29 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2350 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP600N25N3G
IPP600N25N3GXKSA1
SP000677832

00:23:31 12/11/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.17000 2.17
10 1.94800 19.48
100 1.56600 156.60
500 1.28660 643.30
1,000 1.06604 1,066.04

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