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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP50R299CPXKSA1-ND
Cantidad disponible 113,515
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP50R299CPXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 550V 12A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP50R299CP
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 550 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 12 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 299 mOhm a 6.6 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 440 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 31 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1190 pF a 100 V
Potencia máxima 104 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP50R299CP
IPP50R299CPIN
IPP50R299CPIN-ND
IPP50R299CPXK
SP000680938

10:40:17 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.41000 2.41
10 2.16200 21.62
100 1.73770 173.77
500 1.42766 713.83
1,000 1.18291 1,182.91

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