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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP50R199CPXKSA1-ND
Cantidad disponible 475
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP50R199CPXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 550V 17A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP50R199CP
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 550 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 17 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 9.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 660 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 45 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1800 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 50
Otros nombres IPP50R199CP
IPP50R199CP-ND
SP000680934

22:39:15 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 2.95000 2.95
10 2.64500 26.45
100 2.16740 216.74
500 1.84510 922.55
1,000 1.55610 1,556.10

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