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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP180N10N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 2,136
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP180N10N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx180N10N3 G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 43 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 18 mOhm a 33 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 33 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 25 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1800 pF a 50 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP180N10N3 G
IPP180N10N3 G-ND
IPP180N10N3G
SP000683090

20:30:08 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.86000 0.86
10 0.77300 7.73
100 0.60260 60.26
500 0.49780 248.90
1,000 0.39300 393.00

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