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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP147N12N3 G-ND
Cantidad disponible 2,585
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP147N12N3 G

Descripción MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPB144N12N3 G,IPx147N12N3 G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 120 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 56 A (Ta)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 14.7 mOhm a 56 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 61 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 49 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3220 pF a 60 V
Potencia máxima 107 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP147N12N3G
IPP147N12N3GXKSA1
SP000652742

00:31:33 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.49000 1.49
10 1.33000 13.30
100 1.03730 103.73
500 0.85690 428.45
1,000 0.67650 676.50

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