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  • Esta pieza es una muestra de diseño y no se ha probado por completo. Esta pieza únicamente se debe usar para una evaluación funcional y prueba de concepto, y no para producción ni aplicación final.
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP120N20NFDAKSA1-ND
Cantidad disponible 590
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP120N20NFDAKSA1

Descripción MOSFET N-CH 200V 84A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP120N20NFD
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 84 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 12 mOhm a 84 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 87 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 6650 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001108122

11:46:43 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.87000 4.87
10 4.37200 43.72
100 3.58230 358.23
500 3.04958 1,524.79
1,000 2.57194 2,571.94

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