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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP110N20NA-ND
Cantidad disponible 678
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP110N20NA

Descripción MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx(107,110)N20NA
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Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptimWatt™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 88 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 10.7 mOhm a 88 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 87 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 7100 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP110N20NAAKSA1
SP000877672

22:42:07 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.78000 6.78
10 6.12100 61.21
100 5.06750 506.75
500 4.41270 2,206.35
1,000 3.84332 3,843.32

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