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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP110N20N3 G-ND
Cantidad disponible 4,242
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP110N20N3 G

Descripción MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Descripción ampliada N-Channel 200V 88A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPB107N20N3 G,IPx110N20N3 G
IPx1x0N20N3 G
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Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 88 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 87 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7100 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 300 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 11 mOhm a 88 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP110N20N3G
IPP110N20N3GXKSA1
SP000677892

09:26:38 3/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.60000 6.60
10 5.92900 59.29
100 4.85770 485.77
500 4.13526 2,067.63
1,000 3.48758 3,487.58

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