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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP075N15N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 1,073
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP075N15N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx072,75N15N3 G
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 150 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 93 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 5470 pF a 75 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP075N15N3 G
IPP075N15N3 G-ND
IPP075N15N3G
SP000680832

08:02:00 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.00000 5.00
10 4.48900 44.89
100 3.67830 367.83
500 3.13126 1,565.63
1,000 2.64082 2,640.82

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