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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP052NE7N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 11,513
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP052NE7N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP,IPI052NE7N3 G
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 75 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 5.2 mOhm a 80 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8 V a 91 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 68 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 4750 pF a 37.5 V
Potencia máxima 150 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP052NE7N3 G
IPP052NE7N3 G-ND
IPP052NE7N3G
SP000641726

15:11:31 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.94000 1.94
10 1.74100 17.41
100 1.39920 139.92
500 1.14958 574.79
1,000 0.95251 952.51

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