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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP048N12N3 G-ND
Cantidad disponible 2,514
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP048N12N3 G

Descripción MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP048N12N3 G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 120 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4.8 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 230 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 182 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 12000 pF a 60 V
Potencia máxima 300 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1
SP000652734

15:23:46 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.52000 3.52
10 3.16500 31.65
100 2.59310 259.31
500 2.20746 1,103.73
1,000 1.86172 1,861.72

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