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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP040N06N-ND
Cantidad disponible 709
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP040N06N

Descripción MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Descripción ampliada N-Channel 60V 20A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 107W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP040N06N
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 60 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 20 A (Ta), 80 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 2.8 V a 50 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2700 pF a 30 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 3 W (Ta), 107 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 4 mOhm a 80 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP040N06NAKSA1
SP000959820

00:47:22 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.66000 1.66
10 1.48700 14.87
100 1.15920 115.92
500 0.95760 478.80
1,000 0.75600 756.00

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