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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP037N08N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 1,368
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP037N08N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Descripción ampliada N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx035N08N3 G
Producto destacado Data Processing Systems
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 155 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 117 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8110 pF a 40 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 214 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.75 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP037N08N3 G
IPP037N08N3 G-ND
IPP037N08N3G
SP000680776

18:31:00 1/22/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.89000 1.89
10 1.69600 16.96
100 1.36320 136.32
500 1.12000 560.00
1,000 0.92800 928.00

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