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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP037N08N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 1,420
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP037N08N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx035N08N3 G
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.75 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 155 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 117 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 8110 pF a 40 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP037N08N3 G
IPP037N08N3 G-ND
IPP037N08N3G
SP000680776

03:21:24 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.89000 1.89
10 1.69600 16.96
100 1.36320 136.32
500 1.12000 560.00
1,000 0.92800 928.00

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