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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP030N10N3GXKSA1-ND
Cantidad disponible 528
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP030N10N3GXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP,IPI030N10N3 G
Obsolescencia PCN/ EOL Mult Dev EOL 20/Oct/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 100 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 275 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 206 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 14800 pF a 50 V
Potencia máxima 300 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP030N10N3 G
IPP030N10N3 G-ND
IPP030N10N3G
SP000680768

21:34:16 12/5/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.94000 4.94
10 4.44000 44.40
100 3.63810 363.81
500 3.09706 1,548.53
1,000 2.61198 2,611.98

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