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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP023N10N5AKSA1-ND
Cantidad disponible 386
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP023N10N5AKSA1

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 14 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP023N10N5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.3 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 210 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 15600 pF a 50 V
Potencia máxima 375 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001120504

23:44:27 12/2/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.13000 5.13
10 4.60700 46.07
100 3.77440 377.44
500 3.21310 1,606.55
1,000 2.70984 2,709.84

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