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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP023N10N5AKSA1-ND
Cantidad disponible 39
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP023N10N5AKSA1

Descripción MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Descripción ampliada N-Channel 100V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPP023N10N5
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.8 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 210 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 15600 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 375 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.3 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001120504

16:04:02 3/27/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.39000 5.39
10 4.83700 48.37
100 3.96310 396.31
500 3.37376 1,686.88
1,000 2.84533 2,845.33

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