Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP015N04NGXKSA1-ND
Cantidad disponible
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP015N04NGXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Descripción ampliada N-Channel 40V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPB,IPP015N04N G
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 200 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 250 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20000 pF a 20 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 250 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 mOhm a 100 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760

01:35:01 3/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.31000 3.31
10 2.97500 29.75
100 2.43730 243.73
500 2.07486 1,037.43
1,000 1.74989 1,749.89

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario