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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPP015N04NGXKSA1-ND
Cantidad disponible 619
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPP015N04NGXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPB,IPP015N04N G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 40 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 120 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.5 mOhm a 100 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 200 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 250 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 20000 pF a 20 V
Potencia máxima 250 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3-1
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPP015N04N G
IPP015N04N G-ND
IPP015N04NG
SP000680760

07:51:58 12/9/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.15000 3.15
10 2.83300 28.33
100 2.32130 232.13
500 1.97606 988.03
1,000 1.66656 1,666.56

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