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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPI65R099C6XKSA1-ND
Cantidad disponible 475
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPI65R099C6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
Descripción ampliada N-Channel 650V 38A (Tc) 278W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R099C6
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Data Processing Systems
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.2 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 127 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2780 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 278 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 12.8 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO262-3-1
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

07:26:29 3/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 7.05000 7.05
10 6.36800 63.68
100 5.27170 527.17
500 4.59052 2,295.26
1,000 3.99820 3,998.20

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