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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPI65R099C6XKSA1-ND
Cantidad disponible 475
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPI65R099C6XKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R099C6
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 38 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 99 mOhm a 12.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.2 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 127 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2780 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-262-3, conductores largos, I²Pak, TO-262AA
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO262-3-1
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500

18:05:00 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.71000 6.71
10 6.06400 60.64
100 5.02070 502.07
500 4.37194 2,185.97
1,000 3.80781 3,807.81

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