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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPB083N10N3 GCT-ND
Cantidad disponible 3,074
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPB083N10N3 G

Descripción MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx08xN10N3 G
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Cinta cortada (CT) ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 80 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.3 mOhm a 73 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 75 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 55 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 3980 pF a 50 V
Potencia máxima 125 W
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D²Pak (2 conductores + lengüeta), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-2
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 1
Otros nombres IPB083N10N3 GCT

05:21:42 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.22000 1.22
10 1.09400 10.94
100 0.85280 85.28
500 0.70452 352.26

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Paquete alternativo | Esta pieza también está disponible en el siguiente embalaje:
  • Cinta y rollo (TR) ? : IPB083N10N3 GTR-ND
  • Cantidad mínima: 1,000
  • Cantidad disponible: 3,000 - Inmediata
  • Precio unitario: 0.54000
  • Digi-Reel® ? : IPB083N10N3 GDKR-ND
  • Cantidad mínima: 1
  • Cantidad disponible: 3,074 - Inmediata
  • Precio unitario: Carrete de Digi-Key (Digi-Reel)®
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