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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA90R1K2C3-ND
Cantidad disponible 1,105
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA90R1K2C3

Descripción MOSFET N-CH 900V 5.1A 10-220FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPA90R1K2C3
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Diseño/especificación de PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 5.1 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 1.2 Ohm a 2.8 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 310 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 28 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 710 pF a 100 V
Potencia máxima 31 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA90R1K2C3XKSA1
Q4141204
SP000413714

10:49:12 12/3/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.65000 1.65
10 1.47300 14.73
100 1.14840 114.84
500 0.94868 474.34
1,000 0.74895 748.95

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