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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA65R380E6-ND
Cantidad disponible 1,283
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA65R380E6

Descripción MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R380E6
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Ensamble/origen de PCN TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Estándar
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 10.6 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 380 mOhm a 3.2 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 320 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 39 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 710 pF a 100 V
Potencia máxima 31 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-FP
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA65R380E6XKSA1
SP000795282

19:56:15 12/4/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.99000 1.99
10 1.78900 17.89
100 1.43820 143.82
500 1.18160 590.80
1,000 0.97904 979.04

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