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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA65R150CFDXKSA1-ND
Cantidad disponible 3,000
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA65R150CFDXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPx65R150CFD
Diseño/especificación de PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 22.4 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 150 mOhm a 9.3 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4.5 V a 1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 86 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 2340 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220 paquete completo
 
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP000907026

02:42:17 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.46000 3.46
10 3.10900 31.09
100 2.54710 254.71
500 2.16830 1,084.15
1,000 1.82868 1,828.68

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