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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA60R650CEXKSA1-ND
Cantidad disponible 925
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA60R650CEXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Descripción ampliada N-Channel 600V 7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO-220-FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPD60R650CE, IPA60R650CE
Otros documentos relacionados Part Number Guide
Producto destacado Infineon CoolMOS CE
Data Processing Systems
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Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™ CE
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 200 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 20.5 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 440 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 28 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 650 mOhm a 2.4 A, 10 V
Temperatura de operación -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres SP001276044

23:41:38 3/28/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0.90000 0.90
10 0.80500 8.05
100 0.62790 62.79
500 0.51870 259.35
1,000 0.40950 409.50

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