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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA60R199CPXKSA1-ND
Cantidad disponible 736
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA60R199CPXKSA1

Descripción MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 16 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPA60R199CP
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Diseño/especificación de PCN Wafer Dia/Halogen free mold Chg 2/Mar/2016
LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 650 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 16 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 199 mOhm a 9.9 A, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 1.1 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 43 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 1520 pF a 100 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) *
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-FP
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA60R199CP
IPA60R199CP-ND
SP000094146

13:25:54 12/10/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.32000 3.32
10 2.98100 29.81
100 2.44220 244.22
500 2.07898 1,039.49
1,000 1.75336 1,753.36

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