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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA60R160C6-ND
Cantidad disponible 999
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA60R160C6

Descripción MOSFET N-CH 600V 23.8A TO220-FP
Descripción ampliada N-Channel 600V 23.8A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO-220-FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPA60R160C6
Módulos de capacitación sobre el producto CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
Producto destacado Data Processing Systems
Diseño/especificación de PCN LeadFrame Design Chg 25/May/2016
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
TO220 Fullpak Assembly Site Chg 3/Dec/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie CoolMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 600 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 750 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 75 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1660 pF a 100 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 34 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 160 mOhm a 11.3 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO-220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA60R160C6XKSA1
SP000652794

15:46:50 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 3.28000 3.28
10 2.94600 29.46
100 2.41390 241.39
500 2.05492 1,027.46
1,000 1.73306 1,733.06

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