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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA086N10N3 G-ND
Cantidad disponible 5,928
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA086N10N3 G

Descripción MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP
Descripción ampliada N-Channel 100V 45A (Tc) 37.5W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPA086N10N3 G
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 100 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 45 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 75 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3980 pF a 50 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 37.5 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 8.6 mOhm a 45 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA086N10N3G
IPA086N10N3GXKSA1
SP000485984

05:44:50 2/24/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 1.42000 1.42
10 1.26900 12.69
100 0.98900 98.90
500 0.81700 408.50
1,000 0.64500 645.00

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