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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA075N15N3 G-ND
Cantidad disponible 957
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA075N15N3 G

Descripción MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
Descripción ampliada N-Channel 150V 43A (Tc) 39W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPA075N15N3 G
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Otro PCN Multiple Changes 09/Jul/2014
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 150 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 43 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 93 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7280 pF a 75 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 39 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 7.5 mOhm a 43 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA075N15N3G
IPA075N15N3GXKSA1
SP000607018

10:39:10 1/19/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 5.72000 5.72
10 5.14000 51.40
100 4.21160 421.16
500 3.58526 1,792.63
1,000 3.02372 3,023.72

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