Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IPA028N08N3 G-ND
Cantidad disponible 784
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IPA028N08N3 G

Descripción MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3
Descripción ampliada N-Channel 80V 89A (Tc) 42W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 12 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IPA028N08N3
Producto destacado Data Processing Systems
Ensamble/origen de PCN Fab/Test Site Transfer 28/May/2015
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Infineon Technologies

Serie OptiMOS™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 80 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 89 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6 V, 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 270 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 206 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 14200 pF a 40 V
Vgs (máx.) ±20 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 42 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 2.8 mOhm a 89 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa) TO-220-3, paquete completo
 
También le puede interesar
Recursos adicionales
Envase estándar ? 500
Otros nombres IPA028N08N3G
IPA028N08N3GXKSA1
SP000446770

11:23:15 2/21/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 4.85000 4.85
10 4.35400 43.54
100 3.56710 356.71
500 3.03664 1,518.32
1,000 2.56102 2,561.02

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario