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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key IDW12G65C5-ND
Cantidad disponible 179
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

IDW12G65C5

Descripción Diode Silicon Carbide Schottky 650V 12A (DC) Through Hole PG-TO247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos IDW12G65C5
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Diodos - Rectificadores
- Simple

Fabricante

Infineon Technologies

Serie thinQ!™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo diodo Schottky, carburo de silicio
Voltaje - Inverso (Vr) (máx.) 650 V
Corriente - Rectificada promedio (Io) 12 A (CC)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.7 V a 12 A
Velocidad Sin tiempo de recuperación > 500 mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr 500 µA a 650 V
Capacitancia según Vr, F 360 pF a 1 V, 1 MHz
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3
Temperatura de funcionamiento - acoplamiento -55°C ~ 175°C
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 240
Otros nombres IDW12G65C5FKSA1
SP000937044

08:56:53 12/6/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en USD.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6.52000 6.52
10 5.88700 58.87
100 4.87420 487.42
500 4.24436 2,122.18
1,000 3.69671 3,696.71

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